第二百二十二章:提前谋划的布局(1/5)
1996年5月,魔都,微电子装备研究中心,计算光刻联合实验室。三个月前,这里还只是一间堆满服务器和草稿纸的,略显拥挤的办公室。
如今,它已被改造成一个配备了,国内最顶尖计算资源的、充满未来感的数字战场。
一排排黑色的服务器机柜,在恒温恒湿的环境中低吟,指示灯如繁星般闪烁。
空气中弥漫着一种电子元件散热后特有的、淡淡的臭氧味。
陈向东站在一块巨大的,占据整面墙壁的白板前,手里捏着马克笔,眉头紧锁。
白板上,密密麻麻写满了光学模型、数学公式、算法流程图,以及大量被红笔圈出、打上问号的难点和矛盾点。
他面前,坐着十几位从星火基地和全国各高校、研究机构抽调来的顶尖数学、物理和计算机专家。
他们中的许多人,是国内最早接触计算光刻概念的少数派。
此刻,他们正盯着白板上那些复杂的推导,眼神中充满了亢奋与焦灼交织的光芒。
计算光刻,这个在当时对绝大多数人来说,闻所未闻的名词,却是攀登7纳米,乃至更先进制程光刻机这座高山时,必须攻克的关键技术之一。
简单来说,就是用极其复杂的数学模型和算法,去预先补偿和校正光刻过程中,由于光的衍射、散射,干涉等物理效应导致的图形畸变,使得最终在硅片上印出来的电路图案,尽可能接近设计目标。
没有先进的计算光刻软件,再精密的EUV光刻机,也只是一堆昂贵的废铁。
而这一领域,同样被ASML、Synopsys、Brion等少数西方公司和研究机构牢牢垄断,对龙国实行严格的技术封锁。
“问题在于逆问题求解的收敛速度和精度。”一位戴眼镜、面容清癯的中年数学家,指着白板上一组复杂的偏微分方程组,语气带着学术讨论特有的尖锐。
“现有的迭代算法,在处理7纳米节点全芯片级别的光学邻近效应修正(OPC)时,计算量已经大到无法接受。
按照我们目前的算力,修正一颗指甲盖大小的芯片,可能需要......几个月。”
“这完全没有工程实用性。我们需要一种......全新的、更高效的数学工具。”
“不仅是OPC。”另一位负责光源与掩模联合优化(SMO)的专家接口,语气同样凝重。
“EUV光源的波长极短,对掩模缺陷和表面粗糙度极其敏感。我们的SMO模型,必须将掩模的三维散射效应考虑进去,这又引入了海量的计算。现有的算法框架,根本跑不动。”
会议室里,陷入了短暂的沉默。所有人都意识到,他们面对的,是一个理论深度和工程复杂度,都远超磐石算法的挑战。
这不再是单纯的信息处理,而是要在微观世界的物理极限边缘,用数学和算法,与光的本性进行一场近乎不可能的博弈。
陈向东放下马克笔,转过身,目光扫过在座的每一位专家。他看到了他们眼中的疲惫,也看到了那疲惫之下,如同磐石般坚硬的,属于龙国最顶尖头脑的骄傲与执着。
“各位老师,前辈。”陈向东开口,声音带着一丝沙哑,但异常清晰:“我们面临的困难,我很清楚。计算光刻,是光刻机这颗皇冠上,最璀璨,也最难打磨的宝石之一。
西方在这个领域,积累了超过二十年。我们想用三年、五年追上,无异于愚公移山。”
他顿了顿,目光变得更加坚定:
“但天梭的经历告诉我一件事,愚公移山,靠的不是力